超大规模集成电路工艺、柔性电子的技术与应用

代表性期刊：

1. H. Yang, X. Zhou, L. Lu, and S. Zhang, “Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias,” IEEE Electron Device Lett., pp. 1–1, 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3223080.

2. P. Wang et al., “Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal‐Oxide Heterojunction Transistor,” Adv. Electron. Mater., p. 2200807, Oct. 2022, doi: 10.1002/aelm.202200807.

3. Zhou, Jitong, Wengao Pan, Dawei Zheng, Fayang Liu, Guijun Li, Xianda Zhou, Kai Wang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2022. “Self-Stabilized Hydrogenation of Amorphous InGaZnO Schottky Diode with Bilayer Passivation.” Advanced Electronic Materials 2200280:1–9. doi: 10.1002/aelm.202200280.

4. Jiye Li, Yuqing Zhang, Jialiang Wang, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Mansun Chan, Xinwei Wang, Lei Lu*, and Shengdong Zhang. 2022. “High-Performance Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO TFTs With 4 Nm-Thick Atomic-Layer-Deposited AlOx Insulator.” IEEE Electron Device Lett.,43(5):729–32. doi: 10.1109/LED.2022.3160514.

5. J. Zhou, Y. Wang, X. Zhou, G. Li, Z. Xia, F. S. Y. Yeung, M. Wong, H. S. Kwok, S. Zhang, L. Lu*, “Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer,” IEEE Electron Device Lett., vol. 42, no. 9, pp. 3381–1341, 2021. DOI: 10.1109/LED.2021.3095921

6. Fayang Liu, Yuheng Zhou, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Xiaohui Zhang, Guijun Li, Meng Zhang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2021. “Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors.” IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 1, pp. 40–43, 2022. DOI: 10.1109/LED.2021.3133011

7. X. Zhou^#, L. Lu^#, Jin Wei, Yang Liu, K. Wang^*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok,, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 1017–1020, 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.2996242

8. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou, L. Lu*, S. Zhang*, “Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 1619–1624, 2020. DOI: 10.1109/TED.2020.2975211

9. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018. DOI: 10.1109/LED.2018.2818949

10. L. Lu^*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018. DOI:10.1109/LED.2017.2781700

代表性专利：

[1] 郑大伟，陆磊，张盛东，王云萍，严建花，蔡泽宇，“一种肖特基二极管及其制造方法”，中国发明专利申请CN202210872263.6，2022年7月20日。

[2] 郑大伟，陆磊，张盛东，王云萍，严建花，蔡泽宇，“一种肖特基二极管及其制造方法”，中国发明专利申请CN202210857220.0，2022年7月20日。

[3] 陆磊，孙博文，李吉业，王云萍，“透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件”，中国发明专利申请202210618717.7，2022年6月1日。

[4] 王鹏飞，陆磊，王云萍，杨欢，周晓梁，张盛东，“一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法”，中国发明专利申请202210411896.7，2022年4月19日。

[5] 刘发扬，陆磊，张盛东，王云萍，周晓梁，“双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法”，中国发明专利申请202111286452.7，2021年11月2日。

[6] 陆磊，张盛东,焦海龙,张敏,周航,周雨恒,王云萍，“一种应用于柔性薄膜晶体管阵列的结构”，中国发明专利ZL 2020 1 1592468.6，授权，2023年02月03日。

[7] 陆磊，周玮，王文，郭海成，“Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors”，美国专利10,504,939 B2，授权，2017年2月20日。

[8] 陆磊，王文，郭海成， “全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板”，中国实用新型专利ZL 2021 2 2197756.8，授权，2021年9月13日。

[9] 李佳鹏，陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7，授权，2017年11月15日。

[10] 陆磊，王文，郭海成，“一种显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2，授权，2016年10月28日。

[1] 2022年11月至2025年10月：柔性双栅氧化物TFT器件与电路研究，项目来源：国家科学技术部-国家重点研发计划-青年科学家项目，主持

[2] 2021年12月至2025年11月：高性能氧化物TFT 材料与关键技术研发及产业化——“高性能氧化物TFT 技术研发”子课题,项目来源：国家科学技术部-“十四五”国家重点研发计划-重大共性关键技，参与

[3] 2020年1月至2022年12月：金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的研究，项目来源：国家自然科学基金-青年科学基金项目，主持

[4] 2019年10月至2021年9月：金属氧化物薄膜晶体管在光电应力下的退化模型研究，项目来源：广东省自然科学基金-面上项目，主持

[5] 2021年1月至2023年12月：低温多晶硅/氧化物半导体的三维混合集成的关键技术研究，项目来源：深圳市科技创新委员会-高等院校稳定资助—基础研究专项（自然科学基金），主持

[6] 2020年9月至2022年9月：面向大面积色转换RGB-OLED显示的柔性氧化物背板技术研究项目来源：深圳市科技创新委员会-深港联合资助项目，主持

[7] 2020年5月至2023年5月：面向下一代大尺寸显示应用的金属氧化物薄膜晶体管的研究，项目来源：深圳市科技创新委员会-基础研究面上项目，主持

[8] 2022年11月至2024年10月：基于氧化物薄膜晶体管的屏内指纹探测技术研究，项目来源：2022深港联合资助项目（A类）- 协同创新专项，参与

[9] 2022年11月至2025年10月：重2022N079 面向碳化硅电力电子器件的激光合金退火改质设备研发，项目来源：2022深圳市科技计划项目-技术攻关重点项目，参与

[10] 2020年11月至2023年11月：金属氧化物薄膜晶体管的柔性电路设计关键技术研究项目来源：深圳市科技创新委员会-基础研究（重点项目），参与

1、专业范围： 微电子学，物理，电子信息科学与技术；
       2、外语能力：英文六级或托福80、雅思6.0以上；
       3、具有独立思考和勤奋坚韧的品格，对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。