陆磊

职称:助理教授
电话:0755-26033149
办公室:A316
Email:lulei@pku.edu.cn
实验室网站:
研究方向:1、薄膜晶体管;2、先进显示;3、柔性电子及传感器。
职称 助理教授 电话 0755-26033149
办公室 A316 Email lulei@pku.edu.cn
研究方向 1、薄膜晶体管;2、先进显示;3、柔性电子及传感器。 实验室网站

导师与研究领域、方向:

北京大学深圳研究生院,助理教授、博士生导师。深圳市海外高层次人才(c类)。国际电气与电子工程师学会IEEE会员,国际信息显示学会SID会员。苏州大学微电子系学士及硕士(导师:王明湘教授),香港科技大学电子及计算机工程系博士(导师:王文 教授)。2015年至2017年,任香港科大电子计算机工程系研究员、赛马会-香港科大高等研究院Postdoctoral Fellow(合作教授:郭海成 院士)。2017年至2019年,任香港科大研究助理教授,同时荣聘为高等研究院Junior Fellow(合作教授:邓青云 院士)。20196月起加入北京大学深圳研究生院bwin必赢。研究领域包括:半导体器件,如金属氧化物薄膜晶体管、肖特基二极管;先进显示技术,如超高像素密度的OLED蒸镀罩;柔性电子及传感器系统,如基于金属氧化物半导体的柔性传感器系统。在微电子顶级国际期刊和会议上发表论文100余篇,其中SCI期刊53篇。同时还积极谋求产学结合,已经以第一发明人申请中、美、国际专利31项,其中已授权15项。

讲授的课程:

超大规模集成电路工艺、柔性电子的技术与应用

近年来取得的主要成果:

代表性期刊:

1. H. Yang, X. Zhou, L. Lu, and S. Zhang, “Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias,” IEEE Electron Device Lett., pp. 1–1, 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3223080.

2. P. Wang et al., “Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal‐Oxide Heterojunction Transistor,” Adv. Electron. Mater., p. 2200807, Oct. 2022, doi: 10.1002/aelm.202200807.

3. Zhou, Jitong, Wengao Pan, Dawei Zheng, Fayang Liu, Guijun Li, Xianda Zhou, Kai Wang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2022. “Self-Stabilized Hydrogenation of Amorphous InGaZnO Schottky Diode with Bilayer Passivation.” Advanced Electronic Materials 2200280:1–9. doi: 10.1002/aelm.202200280.

4. Jiye Li, Yuqing Zhang, Jialiang Wang, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Mansun Chan, Xinwei Wang, Lei Lu*, and Shengdong Zhang. 2022. “High-Performance Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO TFTs With 4 Nm-Thick Atomic-Layer-Deposited AlOx Insulator.” IEEE Electron Device Lett.,43(5):729–32. doi: 10.1109/LED.2022.3160514.

5. J. Zhou, Y. Wang, X. Zhou, G. Li, Z. Xia, F. S. Y. Yeung, M. Wong, H. S. Kwok, S. Zhang, L. Lu*, “Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer,” IEEE Electron Device Lett., vol. 42, no. 9, pp. 3381–1341, 2021. DOI: 10.1109/LED.2021.3095921

6. Fayang Liu, Yuheng Zhou, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Xiaohui Zhang, Guijun Li, Meng Zhang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2021. “Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors.” IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 1, pp. 40–43, 2022. DOI: 10.1109/LED.2021.3133011

7. X. Zhou#, L. Lu#, Jin Wei, Yang Liu, K. Wang*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok,, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 1017–1020, 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.2996242

8. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou, L. Lu*, S. Zhang*, “Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 1619–1624, 2020. DOI: 10.1109/TED.2020.2975211

9. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018. DOI: 10.1109/LED.2018.2818949

10. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018. DOI:10.1109/LED.2017.2781700

代表性专利:

[1] 郑大伟陆磊,张盛东,王云萍,严建花,蔡泽宇,“一种肖特基二极管及其制造方法”中国发明专利申请CN202210872263.62022720日。

[2] 郑大伟陆磊,张盛东,王云萍,严建花,蔡泽宇,“一种肖特基二极管及其制造方法”中国发明专利申请CN202210857220.02022720日。

[3] 陆磊,孙博文,李吉业,王云萍,“透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件”中国发明专利申请202210618717.7202261日。

[4] 王鹏飞,陆磊,王云萍,杨欢,周晓梁,张盛东,“一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法”中国发明专利申请202210411896.72022419日。

[5] 刘发扬,陆磊,张盛东,王云萍,周晓梁,“双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法”中国发明专利申请202111286452.72021112日。

[6] 陆磊,张盛东,焦海龙,张敏,周航,周雨恒,王云萍,“一种应用于柔性薄膜晶体管阵列的结构”中国发明专利ZL 2020 1 1592468.6授权20230203日。

[7] 陆磊,周玮,王文,郭海成Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors美国专利10,504,939 B2授权2017220日。

[8] 陆磊王文,郭海成 全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板中国实用新型专利ZL 2021 2 2197756.8授权2021913日。

[9] 李佳鹏,陆磊王文,郭海成 一种薄膜晶体管和显示器面板中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7授权20171115日。

[10] 陆磊王文,郭海成一种显示器面板中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2授权20161028日。


近年主持的项目:

[1] 202211月至202510月:柔性双栅氧化物TFT器件与电路研究,项目来源:国家科学技术部-国家重点研发计划-青年科学家项目,主持

[2] 202112月至202511月:高性能氧化物TFT 材料与关键技术研发及产业化——“高性能氧化物TFT 技术研发”子课题,项目来源:国家科学技术部-“十四五”国家重点研发计划-重大共性关键技,参与

[3] 20201月至202212月:金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的研究,项目来源:国家自然科学基金-青年科学基金项目,主持

[4] 201910月至20219:金属氧化物薄膜晶体管在光电应力下的退化模型研究,项目来源:广东省自然科学基金-面上项目,主持

[5] 20211月至202312月:低温多晶硅/氧化物半导体的三维混合集成的关键技术研究,项目来源:深圳市科技创新委员会-高等院校稳定资助基础研究专项(自然科学基金),主持

[6] 20209月至20229:面向大面积色转换RGB-OLED显示的柔性氧化物背板技术研究项目来源:深圳市科技创新委员会-深港联合资助项目,主持

[7] 20205月至20235:面向下一代大尺寸显示应用的金属氧化物薄膜晶体管的研究,项目来源:深圳市科技创新委员会-基础研究面上项目,主持

[8] 202211月至202410月:基于氧化物薄膜晶体管的屏内指纹探测技术研究,项目来源:2022深港联合资助项目(A类)- 协同创新专项,参与

[9] 202211月至202510月:重2022N079 面向碳化硅电力电子器件的激光合金退火改质设备研发,项目来源:2022深圳市科技计划项目-技术攻关重点项目,参与

[10] 202011月至202311:金属氧化物薄膜晶体管的柔性电路设计关键技术研究项目来源:深圳市科技创新委员会-基础研究(重点项目),参与


对计划招收研究生的基本要求:

1、专业范围: 微电子学,物理,电子信息科学与技术;
       2
、外语能力:英文六级或托福80、雅思6.0以上;
       3
、具有独立思考和勤奋坚韧的品格,对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。