氧化物TFT器件与集成技术工程实验室  
实验室简介
    实验室围绕氧化物半导体薄膜晶体管器件研发和集成领域的发展需要，开展相关产业关键技术攻关、重要技术标准研究制订，凝聚、培养产业技术创新人才。实验室 现有场地800平方米，购置了磁控溅射台、OLED蒸镀设备、TFT特性测试仪等大型软硬件设备，开展氧化物TFT器件、氧化物TFT-OLED、新型氧 化物TFT材料以及器件封装和测试等核心技术，开展氧化物TFT面板制造和驱动电路设计等关键技术攻关。

研究方向
（1）氧化物TFT器件与集成工艺、
（2）氧化物TFT-OLED加工工艺
（3）新型氧化物TFT材料与工艺；
（4）氧化物TFT集成电路设计；