OA系统
学院邮箱
教务管理
资源下载
English
新闻中心
林信南副教授课题组论文被SST期刊选作2015年1月封面
发布时间：2015-01-21
浏览次数：
bwin必赢集成微系统重点实验室林信南课题组最近首次提出采用high-k spacers抑制无结多栅晶体管亚阈值特性在非理想工艺条件下的波动。实验证明，通过边缘电容增强Corner Effect，high-k spacers能够有效的抑制侧壁角度变化引起的亚阈值特性变化。论文还对high-k spacers的两个主要参数——厚度和长度对器件性能的影响规律进行了分析，并给出了优化策略和结果。该项工作由2009级博士生楼海君完成，已被电子类Sci一区的期刊Semiconductor Science and Technology 在2015年1月发表，并将本文结构图作为该期封面。
背景资料：
无结器件（junctionless device）是一种源漏和沟道统一掺杂且掺杂浓度很高（一般在1e19 cm-3到8e19 cm-3）的场效应晶体管。与传统的MOSFETs（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）（掺杂为NPN或PNP）相比较，无结晶体管具有良好的器件关断特性、亚阈值斜率和短沟道效应的抑制能力，同时由于没有pn结的存在，解决了传统MOSFETs在深纳米尺寸下掺杂形成pn结的困难，因此，无结晶体管是一种很有潜力的新结构以延续CMOS尺寸继续缩小。但是目前无结晶体管仍存在一些问题，如阈值电压易受器件尺寸和掺杂浓度等参数的影响，由于工艺波动导致的器件性能波动较大，从而不易在量产中采用。
论文链接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/30/1/015008
背景资料：
无结器件（junctionless device）是一种源漏和沟道统一掺杂且掺杂浓度很高（一般在1e19 cm-3到8e19 cm-3）的场效应晶体管。与传统的MOSFETs（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）（掺杂为NPN或PNP）相比较，无结晶体管具有良好的器件关断特性、亚阈值斜率和短沟道效应的抑制能力，同时由于没有pn结的存在，解决了传统MOSFETs在深纳米尺寸下掺杂形成pn结的困难，因此，无结晶体管是一种很有潜力的新结构以延续CMOS尺寸继续缩小。但是目前无结晶体管仍存在一些问题，如阈值电压易受器件尺寸和掺杂浓度等参数的影响，由于工艺波动导致的器件性能波动较大，从而不易在量产中采用。
论文链接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/30/1/015008